STP14NM50N单端场效应管

STP14NM50N单端场效应管规格

制造商：ST意法半导体

描述：MOSFET N-CH 500V 12A TO-220

系列：MDmesh II

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：500V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：320 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：816pF @ 50V

功率 - 最大值：90W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220