ST STF4N80K5单端场效应管

ST STF4N80K5单端场效应管功能介绍

制造商：ST意法半导体

ST STF4N80K5单端场效应管描述：MOSFET N-CH 800V 3A TO-220FP

系列：SuperMESH5?/p>

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：800V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.5 欧姆 @ 1.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 100?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：175pF @ 100V

功率 - 最大值：20W

ST STF4N80K5单端场效应管安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商器件封装：TO-220FP