SILICON DESIGNS加速度传感器SDI 2012

SDI的1轴2012型和3轴2422型MEMS DC测试和测量加速度计模块设计用于电源可能有限的应用，或者只有稳定的+5V直流激励可用。

可用

G 范围

± 2克

± 5克

± 10克

± 25克

± 50克

± 100 克

± 200 克

± 400 克

低噪声：10 μg/rootHz，±2g满量程版本的典型值

-55 至 +125°C 工作温度范围

+5 VDC 电源，用于低压电源系统

出色的长期稳定性

±4V差分输出或0.5V至4.5V单端输出

响应从零 （DC） 到 2000+ Hz 的频率

集成 3' 屏蔽电缆

简单的四 （4） 或八 （8） 根电线连接

坚固的阳极氧化铝外壳

完全校准和序列化，以实现可追溯性

2012 和 2422 采用集成的 3' 电缆，两种型号均采用一 （1） 或三 （3） 个密封的低噪声 SDI 表面贴装加速度计，由 SDI 单独测试、编程和校准。

​

2012年和2422年对-55至+125°C之间的温度变化和梯度相对不敏感。 电缆的屏蔽层与外壳电气连接，而接地 （GND） 线与外壳隔离。坚固的阳极氧化铝外壳采用环氧树脂密封，可通过两个螺钉、一个粘合剂或通过连接磁铁轻松安装。Silicon Designs为具有更高电压的应用提供了一个全面的通用加速度计模块系列。SDI的通用加速度计模块支持+8至+32V DC，板载电压调节和内部电压基准免除了对精密电源的需求。

SDI 型号 2460 和 2466 分别是 2210、2260 和 2266 的正交三轴版本，具有相似的性能。

SDI型号2210、2260和2266是通用单轴MEMS加速度计，是大多数应用的理想选择。它们为在标准测试和测量环境中需要SDI卓越性能的应用节省了成本。

2220 和 2276 型高级高性能 SDI 是高性能单轴模块，内置升级版 SDI 加速度计芯片。这些高性能芯片可降低偏置和比例因子温度偏移性能，这对于经历大或快速温度变化或长时间保持高温或低温极端情况的应用来说是一个宝贵的优势。

2470型和2476型高级高性能SDI是2220和2276的三轴版本，具有类似升级的SDI加速度计芯片和改进的偏置和比例因子温度偏移性能。