SEMIKRON 模块 1700V IGBT E7

SEMiX 3 压接式中的新 1700V IGBT E7 产品组合

1700V器件通过IGBT E7获得功率密度提升。与广泛使用的1700V IGBT4相比，新型IGBT E7具有相同的额定电流，并大大减小了芯片面积。除了功率密度的出色飞跃外，正向电压也下降了20%，从而降低了传导损耗并提高了效率。

为了在工业标准封装中提供新一代IGBT，赛米控推出了采用SEMiX 3压接外壳的1700V IGBT E7。赛米控拥有高达900A额定电流的广泛产品组合，采用最新技术提供一流的功率密度。

主要特点

通过 IGBT E7 提高电流密度

与 1700V IGBT4 相比，VCE 降低多达 20%

标准工业压接外壳

产品组合从 220A 到 900A

好处

芯片尺寸减小，功率密度高

通过更低的 VCE，sat 提高效率

标准工业压接外壳

针对电机驱动应用进行了优化

SiC 技术的完美匹配。赛米控不仅提供工业标准引脚布局，还提供简化PCB设计和模块并联的布局。

除了工业标准封装设计外，SEMITOP E1/E2的热阻也比传统设计低20%。这种减少使切屑能够以更低的温度运行，从而延长产品使用寿命或减少冷却设计工作量。

主要特点

半顶 E1/E2 工业标准封装

低换向电感，低至 4nH

所有模块均包括开尔文源和温度传感器

基于 1200V 碳化硅 MOSFET 的 40A 至 250A 产品组合

半桥、H 桥、六包和 TNPC 拓扑

好处