SEMIKRON 模块 SKM400GB12E4

最新一代IGBT芯片技术

第7代IGBT有650V、950V和1200V三种电压等级，代表了最新的IGBT芯片技术。

新的1200V IGBT是专门为满足电机驱动应用的要求而设计的。在赛米控，它们有两个供应商，即IGBT T7和IGBT M7。这两种IGBT都具有显著降低的正向压降Vce,sat，并提供优化的开关性能。由于在相同的标称电流下，芯片体积小了约25%，因此可以将更高的额定电流装入现有的电源模块封装中。此外，所有第7代IGBT都具有改进的湿度鲁棒性，进一步提高了恶劣环境条件下的可靠性。

在应用中，1200V IGBT第7代可降低功率损耗或提高最大输出功率和功率密度，从而转化为更低的系统成本。在电机驱动方面，第7代IGBT最初将被引入到传统的驱动拓扑结构中。CIB(转换器-逆变器-制动器)、三相全桥和半桥的拓扑结构。对于中低功率驱动，MiniSKiiP和SEMITOP E1/E2的IGBT T7是首选。对于更高的功率等级，IGBT M7可用于SEMiX 3 press-fit和SEMiX 6 press-fit。更多的功率模块将陆续推出。

950V IGBT是专门为光伏应用设计的，有两种不同的芯片特性，S7和L7。S7表现出最低的开关损耗，而L7芯片则是为极低的正向压降Vce,sat而设计的。这两款芯片都能与复杂的三电平拓扑结构（如ANPC（主动中性点箝位））完美结合。有了这两款芯片，它们可以服务于直流母线电压高达1500VDC的太阳能和储能系统应用。

适用于中低功率驱动，光伏和储能的应用

MiniSKiiP®

SEMIKRON MiniSKiiP

无焊料弹簧技术，缩短装配时间

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SEMITOP® E1/E2

SEMIKRON SEMITOP E1/E2

超越标准的卓越性能

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适用于更高功率等级的电机驱动

SEMiX® 3 Press-Fit

SEMIKRON SEMiX 3 press-fit

超过标准的优越性能和全电机驱动解决方案

如整流器，刹车、斩波和半桥拓扑

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SEMiX® 6

SEMIKRON SEMiX 6 press-fit

完整的压接标准

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产品技术规格/特性

来自两个不同供应商的最新一代IGBT

1200V IGBT优化了电机驱动应用

降低饱和电压和芯片尺寸

同一功率模块的封装尺寸实现更大额定电流

输出功率可提高20%

降低系统总成本

950V IGBT经过优化，适用于光伏和储能应用，三电平拓扑结构，最高电压为1500VDC