SEMIKRON 模块 SKKH250/18E

SiC MOSFET模块：无与伦比的效率和性能

最大开关频率下带来极佳效率

最新碳化硅MOSFET技术

满足客户需求的优化芯片组

带或不带碳化硅肖特基续流二极管

参考：太阳能逆变器，牵引辅助电源，运动和赛车

全碳化硅模块：开关损耗

赛米控封装技术和领先的芯片供应商

优化芯片封装，具有更小电感，便于快速开关

由于使用赛米控封装技术，实现更小热阻

客户定制芯片组，与客户的要求完全一致

涵盖10–350kW大范围功率的SiC MOSFET和混合碳化硅模块

一系列工业标准封装

来自领先芯片供应商的碳化硅肖特基二极管和MOSFET  

碳化硅功率模块产品范围

我们的产品涵盖10kW至350kW功率范围，电压级别为1200V，提供七种不同封装。MiniSKiiP和SEMITOP为低功率模块，功率最高25kW，两者都不带铜底板。MiniSKiiP提供通过各种试验的SPRiNG技术，应用于全碳化硅三相全桥，带或不带碳化硅肖特基续流二极管。配合标准工业封装SEMITOP E1/E2，第一代和第二代SEMITOP模块可帮助实现最大的灵活性。

中高功率系列包括SEMITRANS 3、SKiM63/93和SEMiX 3Press-Fit，有混合和SiC MOSFET两种拓扑结构，额定芯片电流高达600A。SEMIPACK和SEMITOP封装的快速整流器模块中应用了采用SIC芯片的肖特基二极管。