THIERRY 离子 PM0026

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自数字时代开始以来，集成电路制造商就面临着在越来越小的表面积上蚀刻日益复杂的电路的挑战。随着业界寻求更高效、有效和环保的方法，以化学方式从晶圆表面去除层，以生产高质量、一致且可靠的集成电路，这引发了多种蚀刻技术的发展。

这些蚀刻工艺分为两大类 - 湿法蚀刻和干法蚀刻：

湿法蚀刻 该过程使用氢氟酸等蚀刻剂将晶圆浸入化学浴中，以在硅衬底上蚀刻二氧化硅。湿法蚀刻是用于蚀刻的最简单的工艺，但它不如干法蚀刻精确，并且会产生必须妥善处理的有毒副产物。

干法蚀刻是在等离子体相中完成的一种过程，其中气体混合物用于产生影响晶圆表面的反应。无线电频率用于激发气体分子并在化学反应中改变其状态，从而去除不需要的物质，从而产生蚀刻表面。

对于当今需要更小、更密集芯片的复杂数字产品，与湿式蚀刻相比，制造商更喜欢使用干式蚀刻，也称为等离子蚀刻，因为：

等离子体蚀刻改善蚀刻材料的物理性能

等离子体蚀刻比其他蚀刻剂更好地促进表面附着力

等离子蚀刻剂也是一种出色的清洁剂（与酸性蚀刻剂不同），可以更彻底地去除金属表面不需要的有机残留物

等离子体蚀刻比酸蚀刻风险小

蚀刻和清洁当今许多现代制造的表面（如硅晶圆）可能会给制造商带来许多问题。许多湿法蚀刻工艺利用腐蚀性和危险性液体，如硫酸氢铵和氢氟酸，这些液体可能对用户和环境造成危害。

毒性较小的方法，如机械翻滚和喷砂，需要更长的时间，并且可能不太精确，更适合创建宏观蚀刻 - 当电子元件需要更小，更复杂的电路时，不太有用。光消融使用高能激光来制造微蚀刻，但该过程仅限于高度局部化，较小的区域，并且难以用于处理整个表面。再加上所需的大量培训和个人防护装备，该过程很快变得过于昂贵和繁琐，无法大规模使用。

同样，清洁过程可能会给制造商带来许多挑战，结果可能令人失望。例如，常见的溶剂可以去除一些污染物，但不是全部，它们通常会留下可能影响性能的残留物。溶剂容易简单地在表面周围涂抹污染物，而不是完全去除它们，一旦溶剂蒸发，尽管尽了最大努力，仍然有痕量污染物残留，导致表面脏污。