THIERRY 离子 F-010型

THIERRY 离子 F-010型

等离子清洗和活化可在节拍时间短的高容量工艺中优化附着力，是工业等离子切割系统的主要用途之一。能够均匀提高具有大表面能的大量零件的表面能是这种工具的优势之一。这一切都可以在不产生挥发性有机化合物（VOC）或与其他制造工艺选项常见的粉尘产生和废物流的情况下实现。

等离子体蚀刻或使用等离子体在大批量生产过程中减少氧化物是大规模工业等离子切割系统的关键应用之一。在高通量制造工艺中，能够减少电气产品封装、焊盘或引线框架上的氧化物或异物，是高容量等离子体加工的一个很好的例子。使用这种类型的化学工艺进行等离子体加工材料而不会产生水性废物流，这在制造环境中是一个很大的优势。

在大批量制造过程中使用等离子处理大量弹性密封件或O形圈的等离子涂层是定制工业等离子切割系统的良好应用。在弹性密封件或O形圈上涂覆低摩擦涂层的能力使组装过程中易于处理，并能够振动转鼓进料以前粘性，粘性，难以管理或在处理过程中容易损坏的部件。

等离子涂层的另一个应用是需要疏水涂层的部件。这方面的一个例子是用于医学或生物实验的移液器吸头。通过应用疏水涂层，它可以更准确地分配材料。

APC 500 电晕等离子体源

控制柜：

宽 562 mm 高 211 mm D 450 mm

室：

腔室容积：

供气量：

发生器：

1 个，40 千赫

控制：

半自动

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等离子清洗

阿托版本 1

控制柜：

宽 425 mm 高 275 mm D 450 mm

腔室：

Ø 8.3 英寸，L 11.8 英寸

腔室容积：

10.5

供气：

1个气体通道，通过针阀

发生器：

1个，40千赫

（可选：13.56兆赫）

控制：

半自动

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等离子体活化

阿托版本 2

控制柜：

宽 425 mm 高 275 mm D 450 mm

腔室：

Ø 8.3 英寸，L 11.8 英寸

腔室容积：

10.5

供气：

质量流量控制器

发生器：

1个，40千赫

（可选：13.56兆赫）

控制方式：

旋转控制

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PDMS等离子体处理

阿托版本 3

控制柜：

宽 425 mm 高 275 mm D 450 mm

腔室：

Ø 8.3 英寸，L 11.8 英寸

腔室容积：

10.5

供气：

质量流量控制器

发生器：

1个，40千赫

（可选：13.56兆赫）

控制：

触摸屏

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等离子清洗

飞秒版本 1

控制柜：

宽 310 mm 高 330 mm D 420 mm

腔室：

Ø 3.9 英寸，L 10.9 英寸

腔室容积：

2

供气：

1个气体通道，通过针阀

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

控制：

半自动

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等离子清洗

飞秒版本 2

控制柜：

宽 310 mm 高 330 mm D 420 mm

腔室：

Ø 3.9 英寸，L 10.9 英寸

腔室容积：

2

供气：

1个气体通道，通过针阀

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

控制：

半自动

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等离子清洗

飞秒版本 3

控制柜：

宽 310 mm 高 330 mm D 420 mm

腔室：

Ø 3.9 英寸，L 10.9 英寸

腔室容积：

2

供气：

2个气道通过针阀

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

控制：

半自动

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等离子清洗

飞秒版本 4

控制柜：

宽 310 mm 高 560 mm D 420 mm

腔室：

Ø 3.9 英寸，L 10.9 英寸

腔室容积：

2

供气：

2个气道通过针阀

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

控制：

半自动

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等离子体活化

飞秒版本 5

控制柜：

宽 310 mm 高 330 mm D 420 mm

腔室：

Ø 3.9 英寸，L 10.9 英寸

腔室容积：

2

供气：

质量流量控制器

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

控制：

触摸屏

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活性离子蚀刻

飞秒版本 6

控制柜：

宽 560 mm 高 560 mm D 420 mm

腔室：

Ø 3.9 英寸，L 10.9 英寸

腔室容积：

2

供气：

1个气体通道，通过针阀

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

Control:

Semi-Automatic

SEE THE DATASHEET

等离子涂层

飞秒版本 7

控制柜：

宽 560 mm 高 560 mm D 420 mm

腔室：

Ø 3.9 英寸，L 10.9 英寸

腔室容积：

2

供气：

质量流量控制器

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

Control:

Touch Screen

SEE THE DATASHEET

等离子蚀刻

飞秒版本 8

控制柜：

宽 600 mm 高 1700 mm D 800 mm

腔室：

Ø 3.9 英寸，L 10.9 英寸

腔室容积：

2

供气：

质量流量控制器

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

Control:

PC

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Plasma Activation

Nano Version 1

Control Cabinet:

W 560 mm H 600 mm D 600 mm

Chamber:

Ø 10.5 in, L 16.5 in

Chamber Volume:

24

Gas Supply:

2 gas channel via needle valve

Generator:

1 pc. with 40 kHz

(optional: 13.56 MHz or 2.45 GHz)

Control:

Semi-Automatic

SEE THE DATASHEET

Plasma Cleaning

Nano Version 2

Control Cabinet:

W 560 mm H 600 mm D 600 mm

Chamber:

Ø 10.5 in, L 16.5 in

Chamber Volume:

24

Gas Supply:

2 gas channel via needle valve

Generator:

1 pc. with 40 kHz

(optional: 13.56 MHz or 2.45 GHz)

Control:

Semi-Automatic

SEE THE DATASHEET

Plasma Cleaning

Nano Version 3

Control Cabinet:

W 560 mm H 600 mm D 600 mm

Chamber:

Ø 10.5 in, L 16.5 in

Chamber Volume:

24

Gas Supply:

2 gas channel via needle valve

Generator:

1 pc. with 40 kHz

(optional: 13.56 MHz or 2.45 GHz)

Control:

Semi-Automatic

SEE THE DATASHEET

Plasma Etching

Nano Version 4

Control Cabinet:

W 560 mm H 600 mm D 600 mm

Chamber:

Ø 10.5 in, L 16.5 in

Chamber Volume:

24

Gas Supply:

Mass flow controllers

Generator:

1 pc. with 40 kHz

(optional: 13.56 MHz or 2.45 GHz)

Control:

Touch Screen

SEE THE DATASHEET

Plasma Etching

Nano Version 5

Control Cabinet:

W 600 mm H 1700 mm D 800 mm

Chamber:

Ø 10.5 in, L 16.5 in

Chamber Volume:

24

Gas Supply:

2 gas channel via needle valve

Generator:

1 pc. with 40 kHz

(optional: 13.56 MHz or 2.45 GHz)

Control:

Semi-Automatic

SEE THE DATASHEET

Plasma Coating

Nano Version 6

Control Cabinet:

W 600 mm H 1700 mm D 800 mm

Chamber:

Ø 10.5 in, L 16.5 in

Chamber Volume:

24

Gas Supply:

Mass flow controllers

Generator:

1 pc. with 40 kHz

(optional: 13.56 MHz or 2.45 GHz)

Control:

PC

SEE THE DATASHEET

Plasma Cleaning

Pico Version 1

Control Cabinet:

W 310 mm H 330 mm D 420 mm

Chamber:

Ø 5.9 in, L 12.6 in

腔室容积：

5

供气：

2个气道通过针阀

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

控制：

半自动

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Plasma Cleaning

Pico Version 2

Control Cabinet:

W 560 mm H 560 mm D 420 mm

Chamber:

Ø 5.9 in, L 12.6 in

腔室容积：

5

供气：

2个气道通过针阀

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

控制：

半自动

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Plasma Cleaning

Pico Version 3

Control Cabinet:

W 560 mm H 560 mm D 420 mm

Chamber:

Ø 5.9 in, L 12.6 in

腔室容积：

5

供气：

2个气道通过针阀

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

控制：

半自动

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等离子蚀刻

笔克版本4

控制柜：

宽 310 mm 高 330 mm D 420 mm

腔室：

Ø 5.9 英寸，L 12.6 英寸

腔室容积：

5

供气：

质量流量控制器

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

控制：

触摸屏

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等离子体活化

笔克版本5

控制柜：

宽 560 mm 高 600 mm D 420 mm

腔室：

Ø 5.9 英寸，L 12.6 英寸

腔室容积：

5

供气：

3个气道通过针阀

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

控制：

半自动

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等离子蚀刻

笔克版本6

控制柜：

宽 560 mm 高 600 mm D 420 mm

腔室：

Ø 5.9 英寸，L 12.6 英寸

腔室容积：

5

供气：

2个气道通过针阀

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

控制：

半自动

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等离子涂层

笔克版本7

控制柜：

宽 600 mm 高 1700 mm D 800 mm

腔室：

Ø 5.9 英寸，L 12.6 英寸

腔室容积：

5

供气：

质量流量控制器

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

控制：

电脑

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大气等离子体源

等离子束

控制柜：

宽 562 mm 高 211 mm D 450 mm

室：

腔室容积：

供气量：

发生器：

1 个，40 千赫

控制：

半自动

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大气等离子体源

等离子束二重奏

控制柜：

宽 562 mm 高 211 mm D 450 mm

室：

腔室容积：

供气量：

发生器：

1 个，40 千赫

控制：

半自动

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大气等离子体源

等离子束二重奏

控制柜：

宽 562 mm 高 360 mm D 650 mm

室：

腔室容积：

供气量：

发生器：

1 个，40 千赫

控制：

电脑

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大气等离子体源

等离子束电脑

控制柜：

宽 562 mm 高 211 mm D 450 mm

室：

腔室容积：

供气量：

发生器：

1 个，40 千赫

控制：

电脑

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大气等离子体夸特罗

等离子束四倍体

控制柜：

宽560毫米，高355毫米，深540毫米

室：

腔室容积：

供气量：

发生器：

4 个，20 千赫

控制：

半自动

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大气等离子体 RT

等离子束室温

控制柜：

宽189毫米，高600毫米，深192毫米

室：

腔室容积：

供气量：

发生器：

2 个，20 千赫

控制：

触摸屏

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等离子清洗

特殊四 100-低聚氰胺

控制柜：

宽 600 mm 高 1700 mm D 800 mm

腔室：

宽 15.8“ x 高 15.8” x 深 24.6”

腔室容积：

100

供气：

质量流量控制器

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

控制：

电脑

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等离子体活化

特殊四 120-低聚氰胺

控制柜：

宽 600 mm 高 1700 mm D 800 mm

室：

腔室容积：

120

供气：

质量流量控制器

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

控制：

电脑

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等离子体活化

特殊四 12600-低硫-聚碳酸酯

控制柜：

宽 600 mm 高 2100 mm D 800 mm

室：

腔室容积：

12600

供气：

质量流量控制器

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

控制：

电脑

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等离子体活化

特殊四 130-低聚氰胺

控制柜：

宽 600 mm 高 1700 mm D 800 mm

室：

腔室容积：

供气：

质量流量控制器

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

控制：

电脑

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等离子体活化

特殊四氯乙烯 140-低硫-聚碳酸酯

控制柜：

宽 600 mm 高 1700 mm D 800 mm

室：

腔室容积：

140

供气：

质量流量控制器

发生器：

1 个 40 千赫

（可选：13.56 兆赫或 2.45 千兆赫）

控制：

电脑