eVoS LE 是一种不对称偏置波形发生器，旨在实现对基于等离子体的蚀刻和沉积工艺中的晶圆表面电压和产生的离子力量分布 (IED) 的直接控制。 eVoS 系统由一个双向电压源和一个独立的电流源组成，用于建立和控制晶圆表面电位。 eVoS 的非对称输出去除了正弦射频偏置应用固有的晶圆偏置限制和限制。 快速数字计量和新颖的控制算法能够生产近乎单能的 IED。

性能特点

eVoS LE 是一种不对称偏置波形发生器，旨在实现对基于等离子体的蚀刻和沉积工艺中的晶圆表面电压和产生的离子力量分布 (IED) 的直接控制。 eVoS 系统由一个双向电压源和一个独立的电流源组成，用于建立和控制晶圆表面电位。 eVoS 的非对称输出去除了正弦射频偏置应用固有的晶圆偏置限制和限制。 快速数字计量和新颖的控制算法能够生产近乎单能的 IED。

性能特点

具有同步所需输入和输出信号的脉冲能力

集成设计和紧凑的尺寸无需匹配网络

高速计量提供实时偏置电压和离子电流反馈

适用于标准腔室接口

实现对晶圆偏置电压和由此产生的离子力量的直接控制

通过使用“正确的功率”来减少功率，只提供有用的离子力量

与 RF 偏置方法相比，获得增强的离子力量选择/区分

AE 通过引入双极脉冲直流技术打破了双磁控溅射范式，提供了等离子体控制，而以前只有有限的控制。 Ascent AP 电源通过在双磁控溅射和现在单磁控溅射的紧凑型解决方案中引入额外的控制参数，进一步扩展了您优化输出的能力。Ascent AP 解决方案主动克制电弧，其广泛的操作范围解锁了一系列材料选项，以扩展工艺灵动性和材料创新。

具有同步所需输入和输出信号的脉冲能力

集成设计和紧凑的尺寸无需匹配网络

高速计量提供实时偏置电压和离子电流反馈

适用于标准腔室接口

实现对晶圆偏置电压和由此产生的离子力量的直接控制

通过使用“正确的功率”来减少功率，只提供有用的离子力量

与 RF 偏置方法相比，获得增强的离子力量选择/区分

AE 通过引入双极脉冲直流技术打破了双磁控溅射范式，提供了等离子体控制，而以前只有有限的控制。 Ascent AP 电源通过在双磁控溅射和现在单磁控溅射的紧凑型解决方案中引入额外的控制参数，进一步扩展了您优化输出的能力。Ascent AP 解决方案主动克制电弧，其广泛的操作范围解锁了一系列材料选项，以扩展工艺灵动性和材料创新。