ELAP 编码器 DIS4

ELAP 编码器 DIS4产品介绍

光电式传感器的工作原理如图2-22所示。信号盘安装在发光二极管(LED)与光敏晶体管(或光敏二极管)之间。当信号盘上的透光孔旋转到LED与光敏晶体管之间时，LED发出的光线就会照射到光敏晶体管上，此时光敏晶体管导通，其集电极输出低电平(0.1~O.3V);当信号盘上的遮光部分旋转到LED与光敏晶体管之间时，LED发出的光线就不能照射到光敏晶体管上，此时光敏晶体管截止，其集电极输出高电平(4.8~5.2V)。

如果信号盘连续旋转，透光孔和遮光部分就会交替地转过LED而透光或遮光，光敏晶体管集电极就会交替地输出高电平和低电平。当传感器轴随曲轴和配气凸轮轴转动时，信号盘上的透光孔和遮光部分便从LED与光敏晶体管之间转过，LED发出的光线受信号盘透光和遮光作用就会交替照射到信号发生器的光敏晶体管上，信号传感器中就会产生与曲轴位置和凸轮轴位置对应的脉冲信号。

由于曲轴旋转两转，传感器轴带动信号盘旋转一圈，因此，G信号传感器将产生6个脉冲信号。Ne信号传感器将产生360个脉冲信号。因为G信号透光孔间隔弧度为60。，曲轴每旋转120。就产生一个脉冲信号，所以通常G信号称为120。信号。设计安装保证120。信号在上止点前70。(BTDC70。)时产生，且长方形宽边稍长的透光孔产生的信号对应于发动机气缸1上止点前70。，以便ECU控制喷油提前角与点火提前角。因为Ne信号透光孔间隔弧度为1。(透光孔占0.5。，遮光孔占0.5。)，所以在每一个脉冲周期中，高、低电平各占1。曲轴转角，360个信号表示曲轴旋转720。。曲轴每旋转120。，G信号传感器产生一个信号，Ne信号传感器产生60个信号。

磁感应式曲轴与凸轮轴位置传感器

磁感应式传感器的工作原理如图2-23所示，磁力线穿过的路径为永久磁铁N极一定子与转子间的气隙一转子凸齿一转子凸齿与定子磁头间的气隙一磁头一导磁板一永久磁铁S极。当信号转子旋转时，磁路中的气隙就会周期性地发生变化，磁路的磁阻和穿过信号线圈磁头的磁通量随之发生周期性变化。根据电磁感应原理，传感线圈中就会感应产生交变电动势。

当信号转子按顺时针方向旋转时，转子凸齿与磁头间的气隙减小，磁路磁阻减小，磁通量φ增多，磁通变化率增大(dφ/dt>0)，感应电动势E为正(E>0)，如图2-24中曲线abc所示。当转子凸齿接近磁头边缘时，磁通量φ急剧增多，磁通变化率最大[dφ/dt=(dφ/dt)max]，感应电动势E最高(E=Emax)，如图2-24中曲线b点所示。转子转过b点位置后，虽然磁通量φ仍在增多，但磁通变化率减小，因此感应电动势E降低。

当转子旋转到凸齿的中心线与磁头的中心线对齐时(见图2-24b)，虽然转子凸齿与磁头间的气隙最小，磁路的磁阻最小，磁通量φ最大，但是由于磁通量不可能继续增加，磁通变化率为零，因此感应电动势E为零，如图2-24中曲线c点所示。

当转子沿顺时针方向继续旋转，凸齿离开磁头时(见图2-23c)，凸齿与磁头间的气隙增大，磁路磁阻增大，磁通量φ减少(dφ/dt< 0)，所以感应电动势E为负值，如图2-24中曲线cda所示。当凸齿转到将要离开磁头边缘时，磁通量φ急剧减少，磁通变化率达到负向最大值[dφ/df=-(dφ/dt)max]，感应电动势E也达到负向最大值(E=-Emax)