ST意法半导体STM32F401CC

ST意法半导体STM32F401CC描述

ST意法半导体STM32F401CC带DSP和FPU的高性能基本型系列ARM Cortex-M4 MCU，具有256 KB Flash、84 MHz CPU和ART加速器。

所述STM32F401xB / STM32F401xC器件基于高性能臂®皮质® -M4 32位RISC在高达至84兆赫的频率核心操作。皮质®-M4 内核具有浮点单元 (FPU) 单精度，支持所有 Arm 单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个内存保护单元（MPU），增强了应用程序的安全性。STM32F401xB/STM32F401xC 包含高速嵌入式存储器（高达 256 KB 的闪存，高达 64 KB 的 SRAM），以及连接到两条 APB 总线、两条 AHB 总线和一条 32位多 AHB 总线矩阵。

所有器件均提供一个 12 位 ADC、一个低功耗 RTC、六个通用 16 位定时器，包括一个用于电机控制的 PWM 定时器和两个通用 32 位定时器。它们还具有标准和高级通信接口。

STM32F401xB/STM32F401xC 在 - 40 至 + 125 °C 的温度范围内工作，电源电压为 1.7（PDR 关闭）至 3.6 V。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。

这些特性使 STM32F401xB/STM32F401xC 微控制器适用于广泛的应用。

ST意法半导体STM32F401CC所有功能

带 BAM 的动态效率线（批量采集模式）

1.7V 至 3.6V 电源

-40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围

内核：Arm ® 32 位 Cortex ® -M4 CPU，带 FPU，自适应实时加速器 (ART Accelerator™)，允许从闪存执行 0 等待状态，频率高达 84 MHz，内存保护单元，105 DMIPS/1.25 DMIPS /MHz (Dhrystone 2.1) 和 DSP 指令

回忆

高达 256 KB 的闪存

512 字节的 OTP 内存

高达 64 KB 的 SRAM

时钟、复位和电源管理

1.7 V 至 3.6 V 应用电源和 I/O

POR、PDR、PVD 和 BOR

4 至 26 MHz 晶振

内部 16 MHz 工厂微调 RC

32 kHz 振荡器，用于带校准的 RTC

带校准的内部 32 kHz RC

能量消耗

运行：128 μA/MHz（外设关闭）

停止（停止模式下的闪光，快速唤醒时间）：42 μA 典型值 @ 25 °C；65 μA 最大值 @25 °C

停止（深度掉电模式下的闪存，缓慢的唤醒时间）：低至 10 μA typ@25 °C；28 μA 最大值 @25 °C

待机：2.4 μA @25 °C / 1.7 V 无 RTC；12 μA @85 °C @1.7 V

用于 RTC 的 V BAT电源：1 μA @25 °C

1×12 位、2.4 MSPS A/D 转换器：多达 16 个通道

通用 DMA：具有 FIFO 和突发支持的 16 流 DMA 控制器

多达 11 个定时器：多达 6 个 16 位定时器，两个高达 84 MHz 的 32 位定时器，每个定时器具有多达 4 个 I2C/OC/PWM 或脉冲计数器和正交（增量）编码器输入，两个看门狗定时器（独立和窗口) 和一个 SysTick 计时器

调试模式

串行线调试 (SWD) 和 JTAG 接口

Cortex ® -M4 嵌入式跟踪宏单元™

多达 81 个具有中断功能的 I/O 端口

所有 IO 端口 5 V 耐压

高达 42 MHz 的多达 78 个快速 I/O

多达 11 个通讯接口

多达 3 × I 2 C 接口（1Mbit/s，SMBus/PMBus）

多达 3 个 USART（2 x 10.5 Mbit/s、1 x 5.25 Mbit/s）、ISO 7816 接口、LIN、IrDA、调制解调器控制）

多达 4 个 SPI（f CPU = 84 MHz 时高达 42 Mbits/s ），SPI2 和 SPI3 具有多路复用全双工 I 2 S，可通过内部音频 PLL 或外部时钟实现音频等级精度

SDIO接口

高级连接

带有片上 PHY 的 USB 2.0 全速设备/主机/OTG 控制器

CRC计算单元

96 位唯一 ID

RTC：亚秒精度，硬件日历

所有包都是 ECOPACK2

ST意法半导体STM32F401CC电路原理图