ST单端场效应管STW34NM60ND

品牌： ST 原产地：瑞士

发布时间： 2021-09-02 14:30:04

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ST

主营：ST意法半导体芯片，ST意法半导体微控制器，ST意法半导体存储器，ST意法半导体晶体管，ST意法半导体IC，ST意法半导体电容器，ST意法半导体模块，ST意法半导体半导体

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产品详情

ST单端场效应管STW34NM60ND

ST单端场效应管STW34NM60ND规格

制造商：ST意法半导体

描述：MOSFET N-CH 600V 29A TO-247

系列：FDmeshII

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：29A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：110 毫欧 @ 14.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2785pF @ 50V

功率 - 最大值：210W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：TO-247

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